La memoria universal podría reemplazar tanto a la RAM como al almacenamiento interno en los ordenadores de uso masivo, brindando una alternativa más rápida y más eficiente a nivel energético. Un nuevo estudio muestra un posible enfoque revolucionario de la memoria universal: empleando un nuevo material denominado GST467, los investigadores apreciaron que la memoria mejora en resistencia, velocidad y otros aspectos al mismo tiempo, haciéndolo además en un entorno realista y amigable para la industria, lo que permitiría su llegada al mercado.

Investigadores de la Universidad de Stanford, en Estados Unidos, han demostrado que un nuevo material puede lograr que la memoria de cambio de fase o memoria universal, que se basa en variaciones entre estados de alta y baja resistencia para gestionar los entornos informáticos, se convierta en una opción mejorada para la Inteligencia Artificial (IA) en el futuro y los sistemas centrados en datos. De acuerdo a una nota de prensa, se trata de una tecnología escalable, más rápida, de bajo consumo, estable, duradera y que puede producirse a temperaturas compatibles con la fabricación comercial.

De acuerdo a un artículo publicado en Live Science, los especialistas han creado una forma de memoria de cambio de fase (PCM) en un material similar al vidrio, llamado GST467. Se trata de una aleación de cuatro partes de germanio, seis partes de antimonio y siete partes de telurio. Cuando este material cristaliza, libera una gran cantidad de energía y tiene baja resistencia. Por otro lado, alcanza una elevada resistencia y absorbe la misma cantidad de energía cuando se funde. El estado de cristalización representa a los unos en el código binario computacional, en tanto que el estado fundido representa a los ceros.

Los ordenadores se están enfrentando actualmente a la tarea de procesar cantidades cada vez mayores de datos, para acelerar el descubrimiento de fármacos, mejorar las predicciones meteorológicas, entrenar Inteligencia Artificial y hasta para tareas profesionales u hogareñas. Para satisfacer esta demanda, necesitamos memorias informáticas más rápidas y con mayor eficiencia energética. Es posible que esta nueva memoria universal abra el camino hacia ese futuro. Según el artículo publicado en Nature Communications, los avances en la tecnología de memoria universal presentados por los investigadores de la Universidad de Stanford ofrecen una prometedora innovación en este ámbito.