La memoria universal, también conocida como memoria de cambio de fase, es objeto de un nuevo enfoque revolucionario según un estudio de la Universidad de Stanford. El nuevo material GST467 mejora la resistencia, velocidad y eficiencia energética de la memoria, ofreciendo una alternativa superior tanto a la RAM como al almacenamiento interno en los ordenadores de uso masivo.

Esta nueva tecnología promete ser más rápida, de bajo consumo y estable, además de poder producirse a temperaturas compatibles con la fabricación comercial. Este avance supondría reemplazar tanto a la memoria RAM como a la memoria de almacenamiento interno en los ordenadores, mejorando tanto el rendimiento como la eficiencia energética.

El material GST467, una aleación de germanio, antimonio y telurio, representa un avance significativo en la memoria de cambio de fase. Su capacidad para cambiar entre estados de alta y baja resistencia lo convierte en una opción mejorada para la Inteligencia Artificial y los sistemas centrados en datos, brindando la posibilidad de unificar memoria y procesamiento en un solo dispositivo, lo que reduciría significativamente el consumo de energía y tiempo.

Este innovador enfoque de la memoria universal, publicado recientemente en la revista Nature Communications, representa un paso adelante en la búsqueda de memorias informáticas más rápidas y eficientes energéticamente. A medida que los ordenadores se enfrentan a la creciente demanda de procesamiento de datos, esta nueva memoria universal podría ser la clave para satisfacer las necesidades futuras de eficiencia y rapidez.